印度知名研究機(jī)構(gòu)向牛津儀器公司訂購(gòu)多臺(tái)設(shè)備

印度科學(xué)院（IISc）電子及通訊工程系Navakanta Bhat教授評(píng)價(jià)："我們之所以選擇牛津儀器的設(shè)備，是因其設(shè)備工藝具有良好的均勻性，且該公司為客戶提供一流的支持。牛津儀器員工卓越的技術(shù)能力、為客戶服務(wù)的工作熱忱、以及視客戶為合作伙伴的服務(wù)態(tài)度，令我們印象深刻。

我們新購(gòu)的設(shè)備在我們國(guó)家是僅有的，將安裝在納米科學(xué)與工程研究中心 （CeNSE）新建大樓 （90,000平方英尺）中面積14,000平方英尺的無(wú)塵室。這一先進(jìn)的無(wú)塵室將安裝一流的設(shè)備，以滿足研究人員的各種需求，而牛津儀器的設(shè)備正好為我們提供了所需的廣泛的工藝流程和尖端的技術(shù)，使印度科學(xué)院（IISc）能夠在多領(lǐng)域進(jìn)行技術(shù)前沿研究，包括納米電子學(xué)、微機(jī)電系統(tǒng)等，這將有助于我們達(dá)成開(kāi)發(fā)可商業(yè)化新技術(shù)的目標(biāo)。

牛津儀器等離子技術(shù)部是刻蝕、沉積和生長(zhǎng)設(shè)備的領(lǐng)導(dǎo)者，近期獲得位于印度班加羅爾的印度科學(xué)院（IISc）納米電子研究中心（CEN）采購(gòu)三臺(tái)等離子刻蝕與沉積設(shè)備的訂單。這三臺(tái)System100等離子刻蝕與沉積設(shè)備將安裝在該納米電子研究中心（CEN）先進(jìn)的納米電子設(shè)備無(wú)塵室內(nèi)，其中兩臺(tái)是PlasmaPro^TM System 100系列電感耦合等離子體刻蝕 （ ICP）設(shè)備，另一臺(tái)是PlasmaPro^TM System 100系列等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備。

System100是靈活、功能強(qiáng)大的等離子刻蝕和沉積工藝設(shè)備，采用真空進(jìn)樣室進(jìn)樣，可進(jìn)行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴(kuò)大了允許的溫度范圍。PlasmaPro System100等離子刻蝕和沉積設(shè)備具有比較大的工藝靈活性，適用于化合物半導(dǎo)體、光電子學(xué)、光子學(xué)、微機(jī)電系統(tǒng)和微流體技術(shù)， 該設(shè)備可以有很多配置，包括印度科學(xué)院所訂購(gòu)的電感耦合等離子體刻蝕（ICP）設(shè)備和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備。

上述兩臺(tái)感應(yīng)耦合等離子體-反應(yīng)離子刻蝕（ICP-RIE）設(shè)備、以及一臺(tái)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備是專(zhuān)為印度科學(xué)院（IISc）納米電子研究中心（CEN）所要求的多種工藝而配置的，可應(yīng)用于多晶硅、氧化硅、氮化硅及多種金屬等化學(xué)材料的刻蝕工藝。除硅刻蝕工藝外，這些設(shè)備亦配置了刻蝕速率高、高頻大功率晶體管所需的砷化鎵和氮化鎵刻蝕工藝。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備可增強(qiáng)氮化物沉積，可運(yùn)用于微機(jī)電傳感器、或作為慣性傳感器結(jié)構(gòu)材料運(yùn)用于低溫多晶硅薄膜。

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